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硅光子在体硅cmos中的集成特性演示将详细介绍micron在开发第一个用于在可操作的体硅cmos上集成硅光子的整体工艺中的研究结果。本研究证明，硅光子作为一种超越摩尔定律的方法，将促进高性能存储器在未来的应用。这项工作是一个更大项目的一部分，该项目致力于建立一个完整的光子处理器-存储系统。参与该项目的研究人员包括麻省理工学院、科罗拉多大学博尔德分校和加州大学贝克勒分校的研究团队。这项研究由国防高级研究计划局资助。
存储器级抗铜随机存取存储器(reram)单元针对混合存储器系统，其将存储器级备份为非易失性高速缓存或dram数据。预期这将提高系统效率并降低成本，因为存储器级别的密度高于dram高速缓存，并且速度高于存储器控制模块。本演示将介绍reram存储单元技术满足以下存储性能规格的情况:reram具有16gb容量、200mb/s写入速度和1gb/s读取速度。这项工作的重点是证明性能的世界上最先进的reram。这项技术是与美光的研究伙伴索尼公司密切合作开发的。
此外，美光的高管们还将在三个超大规模集成电路研讨会上发言。研发副总裁斯科特·德博将作为新兴半导体行业趋势和启示专家组成员参加6月12日的会议。副总裁兼首席内存系统架构师埃德·多勒将于6月11日在名为“数据中心2020:利用近内存加速面向数据的应用”的电路全体会议上发表演讲。此外，micron nand解决方案集团架构总监mark bauer将作为专家小组成员参加6月12日举行的关于未来混合信号、rf和存储电路的教训和挑战的研讨会。
大约微米
Micron technology，inc .是世界领先的先进半导体解决方案供应商之一。美光广泛的高性能存储技术组合，包括- dram、nand和nor闪存，是固态驱动器、模块和多芯片封装等系统解决方案的基础。凭借超过35年的技术领先地位，美光的存储解决方案支持全球最具创新性的计算、消费、企业存储、网络、移动、嵌入式和汽车应用。美光的普通股在纳斯达克上市交易，代码为mu。欲了解更多关于美光科技公司的信息，请访问www.micron
micron和micron轨道标志是micron technology，inc .的商标。所有其他商标归其各自所有者所有。
联系方式:丹尼尔·弗朗西斯科
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